English   |   校友会 ● 基金会
推荐新闻

学术学者学生

您的当前位置: 网站首页  >  学术学者学生  >  正文

湖大科技丨3D存储器选通管技术:致力打造存储芯片的“中国制造”

作者:记者 吴珊 陈杰   编辑:吴珊    来源:  发布时间:2018/06/11

“3D存储器容量更大,集成度更高,目前我国正致力研发中国制造的3D存储器芯片。”9日,在2018年第四批科技成果转化签约大会·湖北大学专场上,湖北大学物理与电子科学学院王浩教授告诉记者。签约现场,他领衔的团队与长江存储科技有限责任公司现场签约,受让3D存储器选通管技术。

选通管是3D-Xpoint存储器的必备原件,目前,国内多家研发机构正致力研发该技术。在国家科技重大专项、国家重点研发计划和湖北省技术创新重大项目等项目的支持下,王浩教授团队近年来专攻高密度阻变存储器及其选通管技术,目前,研发成果已申请或授权11项国家发明专利,发表多篇高水平SCⅠ论文。

当前,随着云计算、大数据、物联网等应用的发展,未来对存储器的需求会持续增加,我国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上,但目前中国制造自主知识产权的存储芯片屈指可数,85%存储器芯片依赖进口。

3D-Xpoint存储器达产后的年产值将超过1千亿,选通管约占百分之十。王浩介绍,目前湖大正致力选通管技术的研发,希望通过与长江存储的合作,联合多方攻关,共同推进信息技术的现实转化,打造存储芯片的“中国制造”。


湖大微博

湖大微信

湖大官网

    版权所有©湖北大学 2016 湖北大学党委宣传部 地址:湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 邮政编码:430062  鄂ICP备05003305    图标鄂公网安备 42010602000204号